Transistor MOSFET N-Channel IRF830 500 V 4,5 A TO-220AB

MOSFET IRF830 500 V

Il MOSFET IRF830 500 V è un transistor a canale N per circuiti di alimentazione switching, inverter e driver motori. Supporta una corrente continua di 4,5 A e integra un diodo a recupero veloce e una protezione avalanche. Il package TO-220AB e la resistenza di conduzione massima di 1,5 Ω a Vgs = 10 V ne definiscono le caratteristiche principali.

Caratteristiche principali

• Canale N, modello IRF830
• Tensione drain-source massima: 500 V
• Corrente continua: 4,5 A a TC = 25 °C
• Resistenza RDS(on) massima: 1,5 Ω a Vgs = 10 V
• Carica totale di gate: 38 nC
• Diodo interno con recupero veloce
• Protezione avalanche integrata
• Package TO-220AB

Dati tecnici

• Tipo: MOSFET N-Channel
• Modello: IRF830
• Tensione drain-source (Vds): 500 V
• Corrente continua (Id): 4.5 A (TC = 25 °C)
• Resistenza di conduzione (RDS(on)): 1.5 Ω (max) @ Vgs = 10 V
• Carica totale di gate (Qg): 38 nC

Compatibilità

La maggior parte dei circuiti di alimentazione switching